Новости
| Новости | Почта | Работа | Бизнес-сеть | IT-календарь | Выставки | Wi-Fi в Украине |


Бизнес
Аналитика
Hardware
Программы
Коммуникации
Интернет
Googlopedia
Технологии
Безопасность
Развлечения
События
Социальные сети
Лаборатория
Интервью
Прочее
Пресс-релизы
Apple
Реклама
IT образование



Архив новостей
Экспорт новостей
Реклама на сайте
Редакция
Обратная связь

 Подписка на RSS

microsoft Интернет Google Apple телефон реклама samsung Intel Китай США сервис память iPhone IBM сеть процессор AMD Игра nokia Видеокарта программа домен социальная сеть Хакер Yahoo Sony Beeline мобильный телефон Ноутбук Яндекс ноутбук оператор браузер блог отчет видео Киевстар ОС Украина Youtube МТС суд компания уанет рынок Cisco Linux статистика LG поиск

Голосование

Как часто вы меняете мобильный телефон?
Раз в квартал
Раз в пол года
Раз в год
Раз в два года
Еще реже



02-10-2008 16:17 Новости - Hardware

TSMC делает ставку на 28-нм техпроцесс


Ведущий тайваньский производитель интегральных микросхем, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), поделился своими планами в отношении перехода на новые технологии изготовления микрочипов. Наиболее интересной представляется информация о 28-нм техпроцессе, ведь именно в этом случае компания впервые будет формировать затворы на основе металлических материалов, либо материалов с высокой диэлектрической константой. Ранее предполагалось, что подобная технология будет применяться уже в случае 32-нм техпроцесса, однако TSMC решила не торопить события. Тем не менее, этот ход сложно назвать выигрышным на фоне конкурентов Chartered, IBM и Samsung, которые начнут использовать high-k/металлические затворы уже в случае 32-нм техпроцесса.

Однако стоит вернуться к основной теме сообщения – технологии изготовления 28-нм интегральных микросхем, которая будет подготовлена к 2010 году. Как и в случае ее предшественника, TSMC рассчитывает использовать 193-нм иммерсионную литографию, формировать медные межсоединения, диэлектрики с низкой диэлектрической проницаемостью, технологию напряженного кремния и пр.

Что интересно, компания планирует заказчикам предлагать два варианта формирования массивов затворов: с использованием традиционного оксинитрида кремния, либо с применением новейших материалов. В последнем случае также возможны два варианта: для создания маломощных и экономичных интегральных микросхем, либо высокопроизводительных решений. Несмотря на некоторые различия, оба типа интегральных микросхем будут характеризоваться значительно увеличенной плотностью размещения элементов на кремниевом кристалле, повышению скоростных показателей на 50%, и на 30-50% сниженным энергопотреблением (по сравнению с 40-нм микросхемами). Что касается 32-нм техпроцесса, то в этом случае будет применяться только лишь оксинитрид кремния.

Причиной пересмотра своих первоначальных планов в отношении 32-нм техпроцесса компанией TSMC является, по всей видимости, неготовность использования металлических и high-k-материалов для формирования затворов. Пока официальные представители тайваньского чипмейкера отказываются от комментариев, однако наблюдатели склоняются именно к такому объяснению.

3dnews.ru

Также по теме:
  • В 2009 году, впервые с 2001 года, сократится продажа процессоров и чипов памяти
  • IBM теперь предоставляет услугу изготовления чипов по технологии SOI 45 нм
  • Развитие беспроводной связи обусловлено широким применением WLAN-чипов
  • Новый способ открыть сейф


  • Ваш комментарий
    Ваше имя
    Ваш комментарий
    Подписка на новости ITUA. Введите ваш e-mail:

    13:00 30-11-2008
    Разговоры по мобильным могут подорожать из-за «Укртелекома»








    Фото дня



    Работа и карьера

    Загрузка...
    Загрузка...




    2004 © ITUA.info. Реклама на сайте
    Реклама в интернете: Баннерная реклама, Контекстная реклама, Поисковая оптимизация.