Предприятия Fujitsu Laboratories и Fujitsu Microelectronics Limited, принадлежащие компании Fujitsu Limited, заявили об успешном завершении работ над созданием новой технологии для производства энергоэффективных КМОП-микросхем по 32-нм проектным нормам (Low-power CMOS Technology For 32nm Generation). Среди ключевых особенностей своей разработки инженеры Fujitsu отмечают необходимость в добавлении всего одного производственного процесса (против шести для других подобных технологий), а также отсутствие потребности в использовании новых материалов, что привело бы к усложнению техпроцесса и повышению его себестоимости.
Для снижения потребляемой мощности МОП-транзисторов обычно уменьшают напряжение питания. Но простое снижение напряжения приводит также к резкому падению быстродействия. Для решения этой проблемы в современном производстве используют затворы из металлических сплавов (вместо силицидовых и кремниевых), что позволяет достигать высоких скоростей переключения транзисторов при малом энергопотреблении, но и одновременно удорожает техпроцесс. Fujitsu постаралась свести к минимуму необходимость добавления новых материалов и технологических этапов, что позволило несущественно повысить стоимость производства.
В рамках новой технологии МОП-транзисторы n-типа включают затвор с двухслойной структурой, которая состоит из слоёв силицида кремния и кремния, легированного разными добавками, что позволяет повысить напряжение в канале и, соответственно, ток во включенном состоянии. МОП-транзисторы p-типа оснащаются так называемыми «fully silicided» затворами, то есть такими затворами, в которых электрод полностью состоит из силицида. Если верить Fujitsu, такие транзисторы, созданные по 32-нм нормам, потребляя на 40% меньше электроэнергии, по производительности не уступают своим 45-нм сородичам.
3dnews.ru
Бизнес
Голосование
14:08 28-08-2008