Запатентован новый, более дешевый источник излучения для литографии с использованием жесткого ультрафиолета (extreme ultraviolet, EUV). Разработка принадлежит Калифорнийскому университету в Сан-Диего (University of California at San Diego, UCSD) в сотрудничестве с компанией Cymer, специализирующейся на выпуске лазеров для фотолитографических систем. Суть предложения заключается в использовании относительно недорогих лазеров на базе двуокиси углерода в 32-нм и более «тонких» техпроцессах. При этом время импульса должно увеличиться от 20 наносекунд, что характерно для современных EUV-лазеров, до более чем 100 наносекунд.
Сейчас в качестве наиболее вероятных претендентов среди литографических технологий для производства по 22-нм и менее нормам рассматриваются EUV, двойные шаблоны, нанопечать, и электроннолучевая литография множественным пучком. Но, судя по текущему состоянию дел, производители по большей части полагаются именно на EUV-литографию.
На сегодняшний день компании ASML и Nikon независимо друг от друга планируют представить предварительные версии EUV-инструментов к концу 2009 г. В этом оборудовании будут использоваться лазер-плазменные (Laser Produced Plasma, LPP) источники излучения производства компании Cymer. Источники сообщают, что японская компания GigaPhoton также активно реализует программу по разработке и выпуску LPP-продукции.
itua.info
Бизнес
Голосование