Nand
-
NAND-технологии SanDisk и Toshiba на 43 нм
-
Intel снизила прогноз прибыли
-
Intel и Micron: новая флэш-память в 5 раз быстрее обычной
-
Micron Technology: 35-нм техпроцесс и ряд SSD в этом году
-
Patriot построит в Тайване фабрику по производству памяти DRAM и NAND
-
Toshiba выходит на рынок твердотельных накопителей SSD
-
В США начато антимонопольное расследование в отношении производителей флеш-памяти
-
Самоуничтожающаяся флешка
-
Samsung возобновило производство
-
Samsung начала производство SSD-накопителей для ноутбуков
-
Turbo Memory для настольных ПК отложена Intel на более поздние сроки
-
Hynix готовится к выпуску NAND по нормам 57 нм, но пока отстает от Samsung Electronics и Toshiba
-
Для повышения плотности NAND более тонкие нормы техпроцесса не обязательны, считают в Toshiba
-
Intel, Dell и Microsoft займутся новым NAND-интерфейсом
-
Мировые поставки HDD к 2011 году учетверятся, считает IDC, но производителям надо быть начеку
-
Micron, Elpida и Hynix обеспечили падение цен на память
-
Первое массовое производство 16-Гбит NAND-чипов
-
Компания Samsung первой начала серийный выпуск 51-нм флэш-памяти типа NAND плотностью 16 Гбит
-
Оперативная память может подорожать – Samsung снова переключается на NAND
-
Рынок DRAM и флэш-памяти NAND стабилизируется во 2 полугодии 2007
-
Прототип 8-нм флэш-модуля плотностью 1 Тбит