Ирландские ученые Национального института имени Тиндаля объявили о создании транзистора по совершенно новой технологии.
В нем отсутствуют традиционные для этих устройств электронно – дырочные переходы. Революционное изобретение позволит делать транзисторы размером в несколько атомов. Производство транзисторов может стать более простым и дешевым, а плотность их размещения на кристаллах может быть значительно увеличена.
Как отмечается на сайте internetua.com, традиционный транзистор с p-n переходами был изобретен в семидесятые годы прошлого века. С тех пор это устройство является основным элементом электронной и вычислительной техники. С момента изобретения транзистора его размеры уменьшились, а количество транзисторов на поверхности кристалла выросло с нескольких сотен до миллиардов. Но требования к современным микрочипам растут экспоненциально, что требует от промышленности производства транзисторов все более миниатюрных, дешевых и энергетически эффективных.
В силу законов физики дальнейшее уменьшение размеров транзисторов, построенных по традиционной схеме, практически невозможно. Электронно – дырочные переходы транзисторов производятся путем добавления в материал полупроводника различных примесей. Расстояние между p-n-переходами в современных транзисторах уменьшилось до 10 нанометров. При этом диффузия примесей делает невозможным уменьшение размеров транзисторов и увеличение их плотности на поверхности полупроводника.
Ирландские ученые завили, что в их транзисторе вообще нет примесей и p-n-переходов. Ток в устройстве течет по очень тонкому кремниевому проводу, а контроль над его величиной производит структура кольцевидной формы. Электрическое поле этой структуры может сужать токопроводящий канал. Принцип действия аналогичен садовому шлангу: стоит его пережать, и поток воды остановится. Как заявил профессор Жан-Пьер Колинь, беспереходный транзистор обладает практически идеальными электрическими свойствами. Он намного более эффективен, чем как лучшие современные транзисторы – действует быстрее, лучше управляется и потребляет меньше энергии. Создание устройства стало возможным, когда усилиями ученых с помощью электронного пучка был создан кремниевый нанопровод толщиной всего в несколько атомов.
