Японская компания по производству цифровой памяти Elpida начинает производство модулей оперативной памяти DDR3 SDRAM, разработанных по 50-нм технологическому процессу. Представители компании сообщают, что с помощью новых технологий производства, чипы обмениваются информацией со скоростью до 2,5 Гбайт/сек, нуждаясь при этом всего в 1,2В на модуль.
По информации сайта CyberSecurity.Ru чипы Elpida разрабатываются на основе 193 нм технологии литографии, в них также применяются медные интерконнекты, которые дают возможность уменьшить размеры модуля до 40 мм2. Кроме уникальных размеров транзисторов, в модулях также применены энергосберегающие технологии, которые уменьшают потребность модуля с 1,5-1,4 В в нормальных условиях до 1,2 В в новых планках памяти.
Сейчас компания производит модули, поддерживающие частоту 800,1066, 1333 и 1600 Мгц, в следующем году будет организован выпуск чипов, работающих на частоте 1866, 2133 и 2500 Мгц. При этом представители компании заявляют, что старшие модели памяти все-таки потребляют больше энергии а именно 1,35В.
Сначала память DDR3 SDRAM будет совместима только с HiEnd-компьютерами, позднее будут выпущены ноутбучные и серверные варианты.
Массовое производство чипов начнется с первого квартала 2009 года. Тогда же компания выпустит 50-нм память формата Mobile RAM для мобильных электронных устройств.
