Компания Samsung анонсировала поставки следующего поколения микросхем памяти на базе фазового перехода – PRAM. В компании сообщают, что первые устройства будут поставлены уже в июне текущего года. Ими станут решения информационным объемом 512 Мб.
Как сообщает сайт 3dnews.ru, основным преимуществом памяти на базе фазового перехода называется энергонезависимость, которая дает возможность хранить записанные данные без подвода энергии. Также плюсом такого вида памяти является высокая скорость во время произвольного чтения информации. Другими словами, память PRAM соединяет в себе сильные стороны флэш-памяти и оперативной памяти. По официальным сведениям, новый тип микросхем способен ускорить возможности подсистемы памяти в 30 раз, относительно комбинации существующих энергонезависимых накопителей и «оперативки».
В основе новой технологии лежит халькогенидное стекло. Этот материал может за малый промежуток времени поменять свое фазовое состояния из аморфного в кристаллическое, и наоборот. За счет этой возможности достигается очень высокая скорость передачи данных. Халькогенидное стекло способно сохранять свое фазовое состояние в течение долгого времени, что и дает возможность реализовать энергонезависимость памяти.
Сейчас Samsung официально не называет потенциальных клиентов, которым будут поставляться первые PRAM-микросхем. Также не называется область применения этого решения. Впрочем, учитывая компактные габариты и характеристики, можно уверенно говорить, что эти устройство будут широко применяться в мобильной электронике, играя роль и основного накопителя и оперативной памяти.
