Японский производитель чипов памяти Elpida сообщил об успешной разработке 512-мегабитной микросхемы памяти DDR3, предназначенных для машин нового поколения.
Как сообщает разработчик, новые микросхемы обеспечивают пропускную способность до 1333 мегабит в секунду, что в два раза больше существующих микросхем с архитектурой DDR2. Кроме того, новая память более эффективно потребляет энергию – 1.5 Вольта против 1.8 Вольт у DDR2.
В производстве нового модуля использовалась 90-нм технология транзисторов со сдвоенным затвором.
До конца текущего года компания планирует выпустить несколько потребительских образцов, после чего может начаться массовое производство. В планах компании разработка памяти высокой плотности: 1- и 2-гигабитных модулей.
