Компания Fujitsu на днях объявила о начале производства двух новых модулей оперативной памяти типа FRAM (Ferroelectric Random Access Memory – сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом) емкостью 2 Мбит в конфигурации 256×8 (MB85R2001) и 128Кx16 (MB85R2002). Напомним, что FRAM является разновидностью энергонезависимой памяти, использующей для хранения данных сегнетоэлектрические компоненты (транзисторы и конденсаторы) обладающие переменными ферромагнитными свойствами. По основным техническим характеристикам: быстродействию, энергопотреблению и количеству циклов записи, модули FRAM намного опережают аналоги, построенные на базе флэш-памяти.
Согласно заявлению представителей компании, модули FRAM, способны перенести 10 миллиардов циклов перезаписи и гарантируют сохранность данных в течение 10 лет. Рабочее напряжение новинок составляет 3,0 – 3,6 В, среднее время доступа к ячейке – 100 нс, продолжительность цикла записи/чтения – 150 нс. Основными областями применения новинок станет офисное оборудование, навигационные и измерительные приборы и многофункциональные принтеры – везде где понадобится оперативное изменения большого числа различных параметров и обеспечение их сохранности на длительный срок.
Новые 2-мегабитные модули доступны для заказа со дня анонса по цене $16,91.
