Корейский электронный гигант компания Samsung Electronics на днях объявила, что количество представленных ею решений, основанных на применении нового стандарта оперативной памяти DDR3, прошедших ратификацию компании Intel, разменяло третий десяток и составляет сейчас 21 – больше, чем у любой другой компании. В составе решений 13 модулей и 8 монолитных компонентов, использующих чипы плотностью 512 Мбит и 1 Гбит и обеспечивающих пропускную способность 800 и 1066 Мбит/с.
Напомним, что оперативная память стандарта DDR3 теоретически сможет обеспечить пропускную способность до 1,6 Гбит/с, т.е. в два раза превышающую таковую у ныне действующих DDR2-решений. Кроме того, модули нового стандарта памяти используют рабочее напряжение в 1,5 В, вместо 1,8 В у DDR2, что способствует уменьшению энергопотребления и увеличению продолжительности работы переносных компьютеров от одной зарядки батареи.
Samsung, также, намерена представить на стартовавшей 14 мая 2007 года конференции Microsoft WinHEC 2007, высокопроизводительную рабочую станцию с 8 гигабайтами оперативной памяти, состоящей из четырех 2-гигабайтных модулей с пропускной способностью в 1333 Мбит/с. Согласно заявлению представителей компании, упомянутый ПК будет являться рекордсменом по производительности среди всех существующих в данное время настольных систем.
Ожидается, что массовое производство DDR3-модулей начнется уже во втором квартале текущего года.
