Samsung разработал экологически чистую память

Компания Samsung Electronics объявила о разработке модуля регистровой памяти с двухрядным расположением выводов на основе передовой технологии Green DDR3 DRAM. Новый модуль памяти, недавно прошедший испытания у ведущих клиентов Samsung, обеспечивает высочайшую производительность, в частности благодаря использованию метода трехмерной (3D) упаковки чипов под названием «сквозное вертикальное соединение» (through silicon via, TSV), сообщила ITUA.info пресс-служба компании.

Технология Samsung 3D-TSV позволяет решать взаимоисключающие задачи, такие как снижение энергопотребления серверов с одновременным увеличением объема памяти и повышением производительности. 

Модуль памяти RDIMM емкостью 8 ГБ, использующий технологию Samsung 3D TSV, дает возможность экономить до 40 % энергии по сравнению с обычными микросхемами RDIMM. Кроме того, технология TSV обеспечивает кардинальное увеличение емкости чипов, что поможет сократить количество разъемов для модулей оперативной памяти в серверных системах следующего поколения. Наряду с 30-процентным сокращением количества разъемов для памяти в серверах нового поколения технология TSV позволит повысить емкость модулей оперативной памяти более чем на 50 %, что делает ее привлекательной для высокопроизводительных серверных систем.

Согласно технологии TSV, в кристалле кремния проделываются вертикальные отверстия, которые затем заполняются медью. Заменив традиционные проводные соединения сквозными вертикальными соединениями, можно сделать сигнальные линии существенно короче, благодаря чему многоуровневая микросхема будет сравнима по производительности с цельным кремниевым чипом.

Модули памяти, использующие технологию TSV, уже прошли испытания у клиентов Samsung и готовы к применению в серверах с высокими требованиями к производительности и энергопотреблению.

Ожидается, что начиная с 2012 года технология 3D TSV начнет получать все более широкое распространение. Samsung планирует внедрить энергоэффективную и высокопроизводительную технологию TSV в микросхемах, выполняемых по технологическим нормам класса 30 нм* и менее.