Процессорная индустрия, можно сказать, уже освоила 45-нм нормы (хотя массовое производство 45-нм решений пока не начато). Ведущими полупроводниковыми компаниями также ведется активная работа над освоением 4х-нм норм в области чипов памяти. Впереди завоевание 3х и 2х нм. Корейские ученые пошли дальше и занялись изучением 10 нм.
Как сообщает Korean Times, корейские исследователи завершили разработку полупроводниковых материалов для создания 10-нм структур. Эти полупроводники основаны на углеродных нанотрубках и могут существенно увеличить емкость флэш-накопителей. Переход на более прецизионные нормы позволит создавать “флэшки” емкостью до 100 Гб, согласно заявлениям исследователей.
На данный момент группа исследователей под руководством Ким Хун-така (Kim Hyun-tak) работает над созданием вещества на базе так называемых моттовских диэлектриков (диэлектрики Мотта-Хаббера). Эти материалы будут использоваться совместно с углеродными нанотрубками для создания полупроводниковых приборов по 10-нм проекционным нормам. Конечно, до внедрения в массовое производство 10-нм норм еще далеко, но первые серьезные шаги в этом направлении уже делаются.
