Компания Samsung Electronics объявила об окончании работ по созданию первых в мире модулей памяти типа LRDIMM (load-reduced, dual-inline memory module) на 32 ГБ.
Новинка ориентирована на использования в серверных системах. Южнокорейская компания обещает запустить массовое производство модулей уже во втором полугодии. В основе запоминающего устройства – микросхемы памяти типа DDR3 40 нм класса (нормы от 40 до 49 нм техпроцесса). Плотность каждого чипа составляет 4 Гб.
По данным сайта ixbt.com, в каждом модуле памяти используется 72 таких микросхем. Также на печатной плате модуля имеется специальная буферная микросхема, позволяющая снизить нагрузку на подсистему ОЗУ на 75%. В серверных системах возможна установка новых модулей общей емкостью до 384 Гб в расчете на один процессор. Это существенно больше, чем в случае использования традиционных модулей типа DDR3 RDIMM емкостью 32 Гб. Модули LRDIMM работают на частоте 13333 МГц, напряжение питания может составлять 1,35 или 1,5 В.
