Компания Elpida Memory объявила о разработке 30 нм чипов памяти DDR3 SDRAM плотностью 2 Гбит. По заявлению производителя, переход на 30 нм техпроцесс позволил получать из каждой пластины на 45% больше памяти, чем при 40 нм техпроцессе.
При этом компания постаралась уменьшить расходы на переход к новым нормам производства, так что удорожания продукции удалось избежать. Подготовленные в Elpida чипы являются самыми компактными изделиями такого типа и такой плотности.
Как сообщается на сайте ixbt.com, чипы соответствуют спецификациям JEDEC для памяти DDR3-1866 и DDR3L-1600 (память с пониженным напряжением питания — 1,35 В). Рассылка ознакомительных образцов начнется в декабре текущего года, тогда же начнется и серийное производство чипов. В Elpida уверены, что их новая память в 2011 году получит широкое распространение. Новы 30 нм техпроцесс будет использоваться также при производстве памяти Mobile RAM и однокорпусной памяти для различных устройств (мобильные телефоны, цифровые камеры, ПК и т.п.).
