Стало известно о разработке самых компактных в мире модулей памяти формата SRAM (static random access memory). Разработчиками стали компании IBM, AMD, Freescale и Toshiba в сотрудничестве американским Колледжем наноисследований и инжиниринга. Одновременно с этим компании сообщили, что при создании модулей первыми в мире ими был использован 22-нм технологический процесс производства.
Как сообщила пресс-служба IBM, 22-нм модули были изготовлены в лабораториях корпорации в Нью-Йорке на базе используемых на сегодня 300-мм кремниевых подложек. В IBM говорят, что изготовленные модули являются не прототипами, а реально работающими образцами.
По данным разработчиков 22-нм чипы памяти обладают производительностью, достаточной для использования в сложных электронных устройствах, например в микропроцессорах. Одна базовая ячейка 22-нм памяти состоит из шести нанотранзисторов, занимающих площадь в 0,1um2. Толщина одного нанотранзистора, использованного для новых модулей, в 80 000 раз тоньше человеческого волоса.
“Мы работаем буквально на переднем крае доступных сейчас технологий. В будущем на основе этих разработок будут создаваться чипы новых поколений. 22-нм техпроцесс является новым достижением для микроэлектроники”, – сообщил руководитель нью-йоркской исследовательской лаборатории и вице-президент Колледжа наноисследований Т.С. Чен.
На сегодняшний день для производства микроэлектроники основной технологией является 45-нм технология. К 2010 году производители намерены освоить в массовом масштабе 32-нм процесс, а лишь затем перейти к 22-нм чипам.
В IBM сообщают, в основе новых чипов SRAM стоят транзисторы, созданные по патентованной технологии high-K metal gate, которую задействуют и в производстве 32-нм чипов. “Как правило, плотность чипов SRAM повышается за счет уменьшения размеров базовых элементов чипов – ячеек. В случае с новыми уменьшенными ячейками удалось добиться не только их уменьшения, но и нового более плотного размещения относительно друг друга”, – рассказали в IBM.
Немаловажным является то, что в создании модулей памяти был применен и новый процесс литографии который рассчитан на использование 300-мм подложек, но со значительно более плотным 3-мерным размещением ячеек.
