Компания SanDisk объявила о начале масштабного производства новых модулей высокопроизводительной флеш-памяти. Модули x3 и x4 произведены по 32- и 43-нм литографическому методу, что делает возможным размещение информации на этих носителях чрезвычайно плотно, а объем дисков увеличивать до шестидесяти четырех гигабайт на одном модуле.
По информации сайта CyberSecurity.Ru, второй особенностью новых чипов являются технологии x3 и х4, на которых можно размещать по три и четыре бита данных на одну маленькую ячейку модуля флеш-памяти. Это увеличивает трудоёмкость изготовления чипов, но одновременно повышает и плотность хранения информации.
Технология х3, применяемая для создания тридцати двух гигабайтных дисков, станет основой для разработки абсолютно новых карт памяти MicroSD, а вот с применением х4 будут изготовляться обычные карты SD объемом до шестидесяти четырех гигабайт. Оба формата могут быть применены во многих портативных устройствах – музыкальных плеерах, фото- и видео-камерах, ноутбуках и нетбуках.
Массовое производство новых карт начнется с весны 2009 года.
Во втором полугодии SanDisk собирается начать разработку карт памяти по 32-нанометровой технологии, которые будут содержать по 2 бита на одну ячейку.
