Компания Samsung объявила о серийном запуске интегральных микросхем графической памяти GDDR5. Эти полупроводниковые устройства характеризуются высокой производительностью в 7 Гбит/с и выполнены по 50-нм технологическому процессу.
Освоение 50-нм технологии позволило Samsung создавать интегральные микросхемы со 100% увеличением эффективности относительно 60-нм технологии. Кроме того, новые устройства требуют намного меньше электроэнергии, так как производитель смог понизить рабочее напряжение до 1,35 Вольт с прежних 1,8 Вольт. Таким образом, снижение энергопотребления составило 20%, сообщает сайт 3dnews.ru.
Компания надеется, что выпуск новых интегральных микросхем графической памяти позволит ей уже в 2009 году получить до 20% общего рынка памяти.
