По словам разработчика нового поколения флеш-памяти, производственной компании Micron Technology, их детище призвано повысить производительность цифровых устройств и позволит использовать новые возможности работы с производительными процессорами.
В основе новых модулей памяти, получивших название BA NAND (Block Abstracted NAND), лежит технология MLC (Multi-Level Cell), производятся они на основе 34-нм техпроцесса и доступны пока в исполнении 8 и 16 гигабит, сообщает cybersecurity.ru.
С помощью контроллера, встроенного в каждый чип, можно управлять операциями, которые критичны к производительности: алгоритмы записи, блокировка данных, встроенная коррекция ошибок.
Как утверждает разработчик, поставка новой флеш-памяти начнется во втором полугодии 2009 года.
