Компания Samsung объявила о переходе на 50 нм технологию для производства чипов графической памяти GDDR5.
Напомним, ранее устройства видеопамяти стандарта GDDR4 производились на основе техпроцесса 60 нм. По заверениям Герда Шаусса, директора по маркетингу запоминающих устройств Samsung Semiconductor Europe, чипы стандарта GDDR5 будут востребованы на рынке мощных графических плат, видеопамяти и игровых устройств. Переход на 50нм технологию позволил увеличить скорость передачи данных до 7 Гб/сек, что позволит поднять реалистичность трехмерной графики на качественно новый уровень, ведь максимальная пропускная способность при этом возрастет более чем в два раза по сравнению с GDDR4. Как сообщается на cybersecurity.ru, для GDDR5 она составляет 28 ГБ/сек, тогда как у GDDR4 этот показатель находился на уровне 12,8 ГБ/сек. Благодаря такому приросту производительности, GDDR5 сможет обрабатывать новейшие стандарты хранения данных – Blu-ray и Full HD.
Стандарт GDDR5 отличается от своего предшественника не только переходом на 50 нм технологию, но и некоторыми структурными усовершенствованиями. Например, в новых чипах используется независимый задающий генератор, который не синхронизируется с тактовыми импульсами при выполнении операций чтения-записи. Это приводит к заметному приросту производительности устройства по сравнению с GDDR4, где тактовые и стробирующие импульсы синхронизировались. При этом новые чипы используют на 20% меньше электроэнергии и питаются от 1,35 В вместо 1,8 В у GDDR4.
Память GDDR5 выпускается в настоящее время в виде модулей 32 Мбит x32, но ожидается выпуск модулей 64 Мбит х32. По словам представителей Samsung, данная технология к концу года завоюет около 20% рынка памяти для видеоустройств, и компания планирует полностью перейти на 50 нм технологию в 2009 году.
