Была анонсирована новая технология энергонезависимой памяти от Unity Semiconductor. Технология CMOx отличается тем, что не использует транзисторы в ячейках памяти. Для построения ячеек используются проводящие оксиды металлов, которые способны пропускать ионы. Эффект сохранения памяти основывается на изменении проводящих свойств. Это принципиально новый вид памяти, из созданных за последние 7 лет.
По словам разработчиков, новая память по технологии CMOx обладает объемной плотностью, в четыре раза превышающей плотность в технологии NAND. При этом, скорость записи увеличена в среднем в 5-10 раз, по сравнению с NAND. Энергопотребление новой памяти составляет всего 1 мкА. Кроме того, эта технология позволяет масштабировать производство под техпроцесс 20 нм или меньше, а ее себестоимость намного ниже, чем у других типов энергонезависимой памяти.
Как сообщает itc.ua, Unity Semiconductor на протяжении 2 лет изготавливает чипы емкостью 64 Кб, а с прошлого года – 64 Мб устройства. На данный момент готовятся образцы емкостью 64 Гб, поддерживающие скорость записи 60 Мб/сек и скорость чтения 100 Мб/сек. Пиковая пропускная способность достигает при этом 200 Мб/сек. Первые модели такой емкости появятся на рынке уже во второй половине 2010 года, а еще через год планируется массовое производство.
Известно, что инвестиции в деятельность Unity Semiconductor производились такими компаниями, как August Capital, Lightspeed Venture Partners, Morgenthaler Ventures и другие, при этом общая сумма инвестиций достигла $75 млн.
