Компания Toshiba объявила, что приступила к разработке новых чипов NAND памяти с уровнем детализации 25 нм.
Данная технология позволит существенно увеличить емкость модулей флеш-памяти и других компонентов по сравнению с существующим сейчас 32 уровнем. В компании уверены, что смогут достаточно быстро выйти на стадию массового производства 25 нм чипов памяти NAND. А уже к 2012 году Toshiba планирует перейти на еще более высокий уровень детализации, позволяющий создавать изделия с высокой плотностью.
Как предполагают авторы сайта ferra.ru, новые 25 нм чипы флеш-памяти в первую очередь будут использоваться в производстве различных устройств самой Toshiba. И уже затем начнутся поставки другим производителям электронной техники. Компания является вторым по величине мировым производителем флеш-памяти (на первом месте – Samsung). Именно модули памяти Toshiba используются в производстве Apple iPhone и iPod. В конце прошлого года компания представила модули флеш-памяти емкостью 64 Гб. На основе новой 25 нм технологии могут быть созданы модули памяти емкостью 128 Гб.
