Южнокорейская корпорация Samsung объявила, что планирует увеличить объем производства чипов DDR3 памяти.
Как сообщают официальные источники, это связано с увеличением спроса, наблюдаемого со стороны компаний, выпускающих серверные модули памяти.
В то же время, требования на товар для последующей имплементации в серверах возросли после новинок, представленных Intel. Речь идет о процессорах серии Xeon 5600 и Xeon 7500. Портал ixbt.com напоминает, что эти устройства с низким энергопотреблением и высокой производительностью максимально эффективно работают в сочетании с памятью типа DDR3.
Специалисты уточняют, что такой чип позволяет оснастить системы на базе Xeon 5500 памятью объемом 192 ГБ (16 ГБ x 12). Для процессоров Xeon 5600 технические характеристики будут еще выше. При напряжении питания 1,35 В энергопотребление снизится до 73%. Что касается пропускной способности, то она по сравнению с DDR2 удваивается. При использовании платформы Xeon 7500 есть возможность пользоваться памятью объемом до 1 ТБ, правда, система в таком случае должна иметь четыре процессорных гнезда.
Напомним, что сегодня существуют чипы памяти DDR3 с различной плотностью – 1, 2 и 4 Гбит. Буферизованные модули DIMM имеют объем от 1 до 32 ГБ, а небуферизованные модули, поддерживающие ECC, пользуются объемом до 8 ГБ. Чипы DDR3, в изготовлении которых задействована технология «40-нанометрового класса», способны передавать информацию на скорости 800, 1066, 1333 и 1600 Мбит/с.
