Samsung Electronics, лидер полупроводниковых технологий, анонсировал успешную разработку устройства флеш памяти 1Gigabit OneNAND TM с использованием 90-нанометровой технологии.
Представляя это сверхкомпактное устройство OneNAND, Samsung расширил свое портфолио флеш-технологий для полной поддержки современных мультимедийных возможностей, связанных с мобильными устройствами следующего поколения.
OneNAND устройство, обеспечивая новую концепцию Unified Storage, совмещает функцию высокоскоростного считывания информации NOR-flash и улучшеное хранение данных NAND-flash. Чип основан на NAND-архитектуре со встроенной буферной памятью и логическим интерфейсом.
OneNAND предоставляет 66MHz синхронный интерфейс и функцию чтения кэша, который позволяет считывать со скорость до 108Mb в секунду (MBps). Большая скорость чтения устраняет время задержки при копировании загрузочного кода с NAND Flash на DRAM и выполнять приложения по запросу.
