В июне 2005 года компании Fujitsu и Epson заключили соглашение о совместной разработке технологии для производства энергонезависимой памяти нового поколения FRAM (Ferroelectric Random Access Memory – сегнетоэлектрическая память с произвольным доступом). Сегодня обе компании представили общественности результаты своей почти двухлетней деятельности.
Инженеры компаний разработали способ формовки, обработки и контроля качества пленок нового сегнетоэлектрического сплава PZT, состоящего из титана (Ti), кремния (Si) и свинцового сурика (Pb3O4). Конечно же, процентное соотношение компонентов сплава остается в секрете. Кстати, напомним, что в ноябре прошлого года Epson сообщила о создании нового материала PZTN, в котором титан частично замещают ниобием (Nb). Но в пресс-релизе компаний этот сплав не фигурирует.
Также им удалось спроектировать технологию получения чипов FRAM-памяти с высокой степенью интеграции (интеграция в 4 раза выше, чем у традиционных FRAM-чипов) и высокой производительностью. Отмечается, что скорости чтения/записи увеличены более, чем в 3 раза. Также улучшена надежность – заявлено, что новые чипы памяти могут выдерживать более ста триллионов циклов чтения/записи. К сожалению, подробных технических характеристик новой разработки компании не предоставили.
Epson планирует использовать новую разработку в комбинации с её собственной КМОП-технологией для создания LSI-чипов с улучшенными характеристиками. Эти чипы будут использоваться в портативных электронных устройствах. Fujitsu заявила о планах наладить массовое производство новых чипов памяти, которое будет основано на совместном достижении компаний. Также Fujitsu сконцентрируется на создании и дальнейшем завоевании нового рынка встраиваемых FRAM-контроллеров.
