Южнокорейскому полупроводниковому гиганту все же удалось, наконец, освоить массовое производство флэш-памяти типа NAND по 51-нм проектным нормам. Компания Samsung Electonics первая в мире запустила серийное производство чипов плотностью 16 Гбит. Отметим, что еще в январе компания Toshiba сообщила о планах начать массовое производство 16-Гбит NAND-чипов по 56-нм нормам, но до настоящего времени официальных заявлений об этом от производителя не поступало. Поэтому Samsung можно считать пионером в области производства 16-Гбит чипов.
Как сообщается, при переходе с 60- на 51-нм нормы эффективность производства повышается до 60%. Интересно отметить темпы миграции на новый техпроцесс. Напомним, что 60-нм производство было освоено в августе прошлого года. Тогда Samsung начала выпускать чипы плотностью 8 Гбит. Первые ознакомительные образцы 16-Гбит чипов, изготовленных по более прецизионным нормам, были представлены уже в начале января этого года.
При изготовлении новых 16-Гбит чипов применяется технология многоуровневой ячейки (MLC, multi-level cell). С помощью таких микросхем можно на одной карте памяти уместить 16 Гб. Кроме того, переход на более тонкие нормы позволил повысить скорости чтения/записи почти на 80% (!) по сравнению с существующими MLC-чипами. Так, 51-нм чипы характеризуются скоростями чтения/записи 30 и 8 Мб/с соответственно. Для 60-нм MLC-чипов эти показатели составляют 17 и 4,4 Мб/с. Для повышения быстродействия был увеличен размер страниц памяти: с 2 Кб (для 60-нм чипов) до 4 Кб (для 51-нм чипов).
Для улучшенной совместимости со старым оборудованием в новых чипах используется такой же 4-разрядный код с возможностью исправления ошибок, как и в 60-нм чипах. Таким образом, для работы новых чипов с существующими интерфейсами придется всего лишь обновить “прошивку” соответствующего устройства. Как отмечается в пресс-релизе, на сегодняшний день карты памяти и контроллеры для MP3-плееров с поддержкой 4-Кб страниц уже доступны на рынке.
