После переоборудования фабрика Fab 11X станет четвертой производственной площадкой Intel, которая будет выпускать продукцию по 45-нанометровой технологии следующего поколения
Корпорация Intel объявила о намерении инвестировать от 1 до 1,5 миллиардов долл.
в модернизацию своих производственных мощностей в Рио-Ранчо. После переоборудования фабрика Fab 11X будет выпускать микросхемы по 45-нанометровой производственной технологии Intel следующего поколения. В соответствии с существующим графиком перехода на передовой 45-нанометровый техпроцесс фабрика Fab 11X станет четвертой производственной площадкой Intel, на которой микросхемы будут выпускаться по новейшей технологии. Ввод в эксплуатацию новых производственных мощностей в Нью-Мексико намечен на вторую половину следующего года.
45-нанометровая производственная технология Intel – одна из самых важных вех на пути усовершенствования структуры транзисторов за последние 40 лет. Этот производственный процесс подразумевает использование металлического затвора и диэлектриков high-k – такое инновационное сочетание новых материалов позволяет существенно снизить токи утечки и сократить время переключения транзисторов. Корпорация Intel начнет выпускать микросхемы по новой 45-нанометровой производственной технологии уже в этом году, используя новые диэлектрики high-k (с более высоким значением диэлектрической проницаемости) и новое сочетание металлов для изготовления электрода затвора, что в очередной раз подтверждает ее лидирующее положение в полупроводниковой промышленности. Опытные образцы нового семейства продукции, изготовленной по 45-нанометровой технологии (под кодовым наименованием Penryn), уже работоспособны – на них успешно были запущены несколько различных операционных систем и приложений. Как и было запланировано ранее, корпорация Intel намерена начать массовый выпуск продукции на основе 45-нанометровой производственной технологии во второй половине текущего года.
«Наш новый 45-нанометровый технологический процесс знаменует одно из самых значительных достижений в производстве микросхем за последние десятилетия. Мы надеемся, что внедрение этой технологии на фабрике в Нью-Мексико позволит выпускать самую лучшую продукцию для наших клиентов, – заявил Пол Отеллини (Paul S. Otellini), президент и главный исполнительный директор корпорации Intel. – Наши производственные мощности в Рио-Ранчо, шт. Нью-Мексико, существуют и успешно работают уже 27 лет. Мы надеемся, что большой опыт сотрудников Fab 11X позволит нам развернуть на этой фабрике производство микросхем по технологии Intel нового поколения».
«Мы приложили много усилий к тому, чтобы превратить штат Нью-Мексико в центр передовых технологий, и решение корпорации Intel об инвестициях в размере более 1 миллиарда долл. подтверждает, что мы движемся в правильном направлении, – считает Билл Ричардсон (Bill Richardson), губернатор штата. – Такое крупное капиталовложение свидетельствует о том, что корпорация Intel намерена развивать свое производство в нашем штате еще долгие годы. Мы гордимся тем, что у нас будут использоваться самые современные технологии в мире».
«Решение корпорации Intel вложить более 1 миллиарда долл. в техническое перевооружение своей фабрики в Рио-Ранчо – хорошая новость для нас, – считает сенатор Пит Доменичи (Pete Domenici). – Intel по праву считается выдающимся «корпоративным гражданином» штата Нью-Мексико. Оснащая фабрику Fab 11X новейшими технологиями, Intel подтверждает свои намерения по долгосрочному сотрудничеству с нашим штатом. Это залог успешного развития нашей экономики. Я горячо поддерживаю решение Intel и уверен в том, что высокая квалификация специалистов нашего штата и наше общее стремление к инновациям самым благоприятным образом будет сказываться на деятельности корпорации».
Выпуск продукции Intel по новой 45-нанометровой производственной технологии начнется на опытно-экспериментальной фабрике D1D в Орегоне. Сейчас Intel строит еще две фабрики, рассчитанные на использование 45-нанометрового производственного процесса. Строительство Fab 32 в Чэндлере, шт. Аризона, обойдется в 3 миллиарда долл., ее запуск состоится уже в текущем году. В строительство Fab 28 в Кирьят-Гате (Израиль) вложено 3,5 миллиарда долл., открытие этой фабрики запланировано на первую половину следующего года.
Сейчас Fab 11X выпускает микросхемы по 90-нанометровой технологии на базе кремниевых подложек диаметром 300 мм. Эта фабрика была открыта в октябре 2002 года и стала первой фабрикой Intel, на которой было освоено массовое производство микросхем на базе подложек диаметром 300 мм. Кроме того, эта фабрика также стала первым полностью автоматизированным крупносерийным производством Intel по выпуску 300-мм кремниевых подложек.
