Южнокорейская компания Hynix Semiconductors, которая специализируется на выпуске компьютерной памяти, объявила о разработке чипа, который обладает наибольшей плотностью компонентов по сравнению со всеми существующими аналогами.
Как сообщает сайт Cybersecurity.ru, новое решение использует литографический процесс, самый совершенный на сегодняшний момент. Представители компании говорят, что модули памяти DDR3 производятся на базе 40-нм литографического процесса. До этого основной технологией при создании памяти был технологический процесс с характеристикой 50-нм.
Ожидается, что более продвинутая технология позволит увеличить скорость работы чипов, повысить объем вмещаемых данных и снизить энергопотребление. Новые 40-нм чипы будут применяется в серверах и вычислительных системах. Массовое производство этого решения стартует уже в нынешнем году.
Таким образом, Hynix стал первым производителем, перешедшим на 40-нм процесс создания чипов DDR DRAM3. «Теперь наша компания станет более конкурентоспособность на рынке памяти», – подчеркнул представитель Hynix.
