Samsung Electronics начала серийный выпуск чипов памяти в 512 Мб, разработанных по стандарту PRAM. Созданы чипы с использованием эксклюзивной запатентованной технологии OneDRAM и по шестидесятинанометровому технологическому процессу.
В будущем данный формат должен стать для Samsung основой линейки встраиваемых блоков памяти, которым полностью заместятся имеющиеся модели NOR-памяти.
Как сообщает сайт cybersecurity.ru, чипы имеют рекордные показатели скорости работы. Так, по сообщению представителей Samsung, 512-мб чип может стереть до 64 тысяч логических слов в течение 80 млс., что вдесятеро быстрее, чем у NOR-памяти.
PRAM – более современный формат по сравнению с флеш-памятью в формате NOR, в то же время специалисты компании подчеркивают, что сферы применения этих видов памяти различаются. Новинка имеет расширенный ресурс, гарантирующий свыше 100 млн. циклов записи. При этом память энергонезависима, а проектная продолжительность сохранения информации – свыше10-ти лет.
На сегодняшний день быстрейшая компьютерная память – DDR. Ее используют как RAM в компьютерах и серверах. Время памяти данного формата доступа примерно равно около трем наносекундам. С течением времени PRAM-память сможет достичь скоростных показателей DDR и компьютеры совсем скоро откажутся от привычных жестких дисков и оперативной памяти. Они будут заменены единым модулем.
