Представители ARM объявили, что созданные по технологии кремний-на-изоляторе (SOI) 45-нм чипы уменьшают энергопотребление до 40% относительно 45-нм микросхем, созданных по более дешевым и распространенным (CMOS) технологиям.
Как сообщает сайт 3dnews.ru, ARM представила результаты соответствующих сравнительных тестов в рамках конференции IEEE SOI.
Для создания тестового SOI-чипа компания сотрудничала с Soitec. Их совместная работа привела к созданию по SOI-технологии чипа ARM 1176, что дало возможность сделать непосредственное сравнение характеристик полученного процессора с более распространенной версией на базе CMOS-технологии. Результаты тестов показали, что использование более нового способа производства дает возможность до 40% снизить энергопотребление и на 7% уменьшить площадь, которую занимают проводящие дорожки. Также исследователи определили, что SOI-реализация характеризуется большим потенциалом по рабочей частоте (на 20%).
При создании чипа использовались библиотеки SOI-компонентов IBM и ARM. Отметим, что IBM положительно оценила итоги тестов ARM и Soitec и заявила, что полученные результаты убедят многих производителей в необходимости адаптации SOI-технологий в пользовательской электронике.
