Samsung начал массовое производство 70nm флеш-памяти

SamsungЦены на карты памяти должны заметно упасть учитывая заявление компании Samsung о начале массового производства микросхем памяти NAND Flash объемом 4Gb с использованием 70нанометровой технологии.Память NAND Flash использутся в картах памяти CompactFlash, а также в портативных устройствах типа MP3 плееров, цифровых фотокамер и USB-флешках.

Переход на 70-нанометровый процесс позволит создавать микросхемы памяти меньше, быстрее и дешевле, чем произведенные по 90-нанометровому процессу. По словам Samsung, новый чип 4Gb NAND flash имеет скорость записи 16MBps, что на 50% больше, чем у предыдущей генерации микросхем памяти. Такой скорости достаточно, чтобы записывать цифровое видео. Производство новых микросхем позволит увеличить емкость USB накопителей с 1GB до 4GB или 8GB.

Разработка памяти 4Gb NAND Flash была анонсирована Samsung в сентябре прошлого года, а нынешнее заявление говорит о том, что компания готова выпускать эту продукцию в коммерческих объемах.

Це цікаво:   Останнє оновлення AMD Software: Adrenalin Edition підвищує продуктивність гри Starfield

Новини IT » Hardware » Samsung начал массовое производство 70nm флеш-памяти

Опубліковано


Останні новини IT: