Компания Samsung Electronics представила новые твердотельные накопители емкостью 512 Гб. Они построены на основе 30 нм чипов емкостью 32 Гб и оборудованы интерфейсом SATA третьего поколения.
Благодаря этому максимальное быстродействие накопителей составляет 250 Мб/с при чтении и 220 Мб/с при записи данных (в режиме последовательного обращения). Это примерно в три раза выше скорости самых современных на данный момент HDD.
Как сообщается на сайте 3dnews.ru, уровень энергопотребления новинки достаточно низкий. Он приблизительно равен энергопотреблению 256 Гб SSD, построенного на базе 40 нм чипов флэш-памяти типа NAND. Снижение энергопотребления достигается за счет специального контроллера. Он переводит накопитель в экономичный режим, когда пользователь не обращается к нему в течение некоторого времени. Защита записанной в SSD информации осуществляется с помощью аппаратного шифрования по алгоритму AES (используется 256-битный ключ). Серийный выпуск твердотельного накопителя Samsung 512GB начнется в июле текущего года.
