Корпорация Toshiba представила встраиваемый модуль флэш-памяти емкостью 128 ГБ.В настоящее время это рекордная емкость для такого типа запоминающих устройств.
Модуль выполнен в соответствии со стандартом JEDEC e-MMC V4.4. и имеет габариты 17×22×1,4 мм. Производитель полагает, что новинка будет широко применяться в мобильных устройствах – таких, как смартфоны и планшетные компьютеры. Также встраиваемый модуль может использоваться в бытовой электронике. Ознакомительные образцы партнеры компании смогут получить в сентябре текущего года, а серийное производство буде запущено в четвертом квартале.
Как сообщается на сайте ixbt.com, модуль включает 16 чипов флэш-памяти и контроллер. Чипы выполнены по технологии NAND в соответствии с нормами 32 нм технологического процесса. Плотность чипов памяти составляет 64 Гбит, толщина чипа не превышает 30 мкм. Напряжение питания модулей находится в диапазоне от 2,7 до 3,6 В. Предусмотрено три модификации, различающиеся шириной шины — x1, x4, x8. Максимальная скорость чтения составляет 55 Мб/с, записи – 21 Мб/с. Запоминающие устройства заключены в корпуса типа FBGA, имеется 153 шариковых вывода (еще 84 вывода играют роль опоры).
