Компания Intel собирается уже в первой половине этого года начать поставки рабочих образцов памяти с произвольным доступом, использующей эффект изменения фазового состояния вещества (Phase-change Random Access Memory, PRAM). Конкретно речь идёт о чипах ёмкостью 128 Мбит, которые будут производиться по 90-нм технологии.
Как заявляет Intel, благодаря своему высокому быстродействию PRAM в будущем заменит флэш-память типа NOR. Но это ещё не всё – диапазон применения RAM нового типа гораздо шире. К примеру, PRAM вполне может заменить DRAM в некоторых системах. Оптимизм по этому поводу, как мы сообщали в прошлом году, высказывала и компания Samsung.
Intel владеет лицензией компании Ovonyx на PRAM на базе халькогенидов с 2000 года, до этого Intel активно исследовала эту технологию самостоятельно. А в июне 2006 года STMicroelectronics и Intel сообщили о том, что объединяют свои усилия в этой области. Напомним также, что в конце прошлого года о планах касательно PRAM заявило трио компаний во главе с IBM – IBM, Macronix и Qimonda.
Эд Доллер (Ed Doller), технологический директор группы флэш-памяти компании Intel, сообщил, что созданная ими PRAM способна выдержать 100 млн. циклов записи-чтения и может хранить данные более 10 лет. Кроме того, новая память имеет достаточно широкий рабочий температурный диапазон, что позволит её использовать и в промышленных приложениях.
Как заявил Доллер, массовый выпуск PRAM может начаться уже в конце 2007 года, при условии, если память вызовет достаточный интерес заказчиков.
ixbt.com
