По данным источника, компания Hynix Semiconductor намерена в третьем квартале текущего года перевести производство флэш-памяти типа NAND, развернутое на 300-мм фабриках, на 57-нм техпроцесс с целью снижения себестоимости продукции. В настоящее время Hynix использует 60-нм нормы. По оценке компании, переход с норм 60 нм на нормы 57 нм способен обеспечить снижение себестоимости порядка 20%.
Вслед за 57-нм нормами, Hynix, как известно, рассчитывает освоить и более тонкий, 48-нм техпроцесс. Как ожидается, это произойдет в первом квартале будущего года. Источник отмечает, что переход к нормам 48 нм может потребовать переоборудования существующих 300-мм фабрик.
По оценке iSuppli, компании Hynix принадлежит около 18,5% рынка NAND. Что касается других крупных участников рынка флэш-памяти типа NAND – Samsung Electronics и Toshiba – они уже выпускают этот вид продукции по более тонким нормам, чем Hynix. При этом специалисты Toshiba смогли достичь хороших показателей выхода годной продукции для 56-нм процесса, а Samsung, хотя и первой отрапортовала начале серийного выпуска 51-нм флэш-памяти типа NAND плотностью 16 Гбит, пока, похоже, сталкивается с проблемами при освоении выпуска 50-нм чипов multi-level cell (MLC) NAND.
