Нове покоління ОЗУ DDR5 демонструє 300% збільшення ємності1, 163% збільшення швидкості та знижене енергоспоживання.
Ласкаво просимо в епоху нового стандарту пам’яті DDR5
2022 рік принесе нове покоління пам’яті SDRAM DDR5, яке здатне забезпечити значний приріст продуктивності у порівнянні з попередніми стандартами.
Поліпшення порівняно зі стандартом DDR4 є найбільшими за всю історію розвитку оперативної пам’яті. Перехід від DDR4 до DDR5 є чимось більшим, ніж типова зміна покоління DDR SDRAM, оскільки пам’ять DDR5 робить великий стрибок уперед з оновленою архітектурою для суттєвого збільшення пропускної спроможності ОЗУ. У той час як попередні покоління оперативної пам’яті були зосереджені на зниженні енергоспоживання (що стимулювалося мобільними пристроями та центрами обробки даних), основною метою DDR5 є задоволення потреб у пропускній здатності підсистеми пам’яті.
Експертне моделювання пам’яті DDR5 на системному рівні демонструє збільшення продуктивності ефективної пропускної спроможності приблизно в 1.36 рази в порівнянні з DDR4, при рівнозначній швидкості передачі даних 3200 MT/s (мегатранзакцій в секунду). За більш високої швидкості передачі даних, DDR5-4800, продуктивність збільшується приблизно в 1.87 разів, практично подвоюючи пропускну здатність DDR4-3200.
Модуль BIWIN DDR5 U-DIMM, створений з використанням найновіших мікросхем 1znm 16Gb DDR5 від Micron, досягає рівня 4800 mbps (мегабіт за секунду), що значно перевищує максимально можливу частоту пам’яті DDR4. На ранній стадії розробки DDR5, у міру того, як виробники ПК будуть освоювати сумісність компонентів, BIWIN Storage Technology запропонує своїм клієнтам комплекти ОЗУ об’ємом 16 ГБ і 32 ГБ.
Окрім підвищення продуктивності, BIWIN DDR5 UDIMM мають високу надійність, будуть широкодоступні та зручні у використанні.
Механізм корекції помилок One-die ECC
Опираючись на досвід корекції даних у промислових та серверних системах управління, а також у корпоративних додатках, механізм корекції помилок в ОЗУ, One-die ECC, тепер стане основою і для звичайних систем користувача. Цей механізм може працювати незалежно, зменшуючи навантаження на контролер пам’яті та забезпечує комплексний захист під час передачі даних.
WR баланс даних, що зчитуються
Ця функція усуває сигнальні перешкоди і забезпечує вищу продуктивність при читанні даних із ОЗУ.
PMIC – управління живленням
Мікросхема керування живленням PMIC посилює сигнал, забезпечує високу ефективність в управлінні живленням, проводить регулювання пульсацій, синхронізує напругу і все це при значно зниженій напрузі живлення ОЗУ – 1.1В. Позитивними ефектами використання окремої мікросхеми живлення модулів DDR5 є зменшення нагріву пам’яті та збільшення загальної енергоефективності.
Data CRC – алгоритм перевірки цілісності даних
Оперативна пам’ять BIWIN DDR5 підтримує алгоритми перевірки цілісності даних (CRC) під час запису та читання, забезпечуючи таким чином високошвидкісну, високоточну та недорогу корекцію даних.
BIWIN DDR5, блискавичні обчислення
BIWIN виявляє ранню ініціативу щодо випуску пам’яті стандарту DDR5, але в 2022 році будуть і інші інновації, оскільки DDR5 поступово стане стандартом у компонентній системі ПК.
BIWIN Storage DDR5 UDIMM
У найближчому майбутньому BIWIN планує випустити SODIMM DDR5 та оперативну пам’ять DDR5 на базі мікросхем пам’яті Samsung. Як постачальник чіпів зберігання даних з повним спектром послуг, компанія BIWIN буде пропонувати пам’ять DDR5 не тільки для ПК преміум-класу, але і для інших сфер діяльності, включаючи комп’ютери для кіберспорту, центри обробки даних, штучний інтелект та AIoT програми.
Про BIWIN
Компанія BIWIN Storage Technology Company Limited (“BIWIN”) виробляє високоякісні флеш-накопичувачі та пам’ять; відома у споживчому, корпоративному та промисловому сегментах своїми можливостями незалежної розробки апаратного забезпечення, програмного забезпечення, вбудованого програмного забезпечення та алгоритмів зберігання даних.
Виробничий досвід BIWIN (поряд з повним набором власних ліній з упаковки чіпів, тестування та SMT виробництва) гарантує чудову продуктивність продукції BIWIN, що в свою чергу дозволяє BIWIN отримувати безліч нагород та мати відповідну репутацію за надання клієнтам у всьому світі високоякісних пристроїв зберігання.
Найновіше підприємство компанії – науково-технічний район BIWIN Huizhou має у своєму розпорядженні сучасну науково-дослідну лабораторію та виробничі потужності 110 000 кв.м.
Засновники компанії відкрили бізнес із виробництва флеш-накопичувачів у місті Shenzhen (Китай) у 1995 році, прийнявши за основу бізнес-філософію “WIN-WIN”, яка згодом стала візитною карткою BIWIN. У 2009 році було прийнято ключове для компанії рішення: впровадити на виробництві процес упаковки чипів. Віха настільки видатна, що більшість компаній-конкурентів досі не досягли цього рівня (вони передають цей процес на аутсорсинг або купують вже упаковані чіпи). Цей успішний крок привів у 2010 році до створення компанії, яку ми знаємо сьогодні як BIWIN Storage Technology Company Limited.
Після багатьох років успіху в індустрії зберігання даних компанія заснувала власний споживчий бренд – Biwintech. Висока якість продукції Biwintech (пристроїв зберігання даних та пам’яті) залежить від суворих виробничих вимог, вироблених за роки виробництва критично важливих промислових систем. За офіційною ліцензією, BIWIN також розробляє, виробляє та реалізує споживчі флеш-накопичувачі та карти пам’яті для кількох відомих комп’ютерних брендів.
Лінійка продуктів: чіпи пам’яті, USB-накопичувачі, карти пам’яті, твердотільні накопичувачі, тестування упаковки мікросхем.
