Компания Toshiba Corp создала технологию определения точек перегрева литографии на уровне кристалла на этапе непосредственного создания ячейки. Подробности этой технология компания представила на Photomask Japan 2009.
Как сообщает сайт 3dnews.ru, Toshiba применяет данную технологию в создании чипов по нормам в 45 нм и выше. Процесс выявления точек перегрева именуется проверкой литографического соответствия и имеет 2 стадии. Во время первой стадии производится LCC ячейки, где на основе информации о шаблоне ячейки реализуется симуляция литографии. Ячейка при этом подвергается OPC – оптической коррекции эффекта близости. В ходе этой симуляции выявляется контур с учетом возможного влияния соседствующих структур в ячейке. В случае отсутствия дефектов, проверка передвигается на уровень микросхем. Литографическая симуляция при LCC чипа, в отличие от стандартного освидетельствования ячейки, характеризуется большей областью покрытия, тем самым увеличивая время обработки. К тому же, из-за более сложной OPC время на обработку также тратится больше.
Несмотря на это, технология весьма полезна, потому что проблемы, которые могут быть найдены на чип-уровне LCC, зачастую крайне сложно исправить, так как процесс создания чипов уже находится на определенной стадии. Toshiba практикует 2 технологии, одна из которых называется «универсальный шаблон», а другая «теплая точка». Теплой точкой именуется область, которая на уровне ячейки не несет проблем, но на уровне микросхем способна стать причиной неприятностей. Новый метод может параллельно выявлять и теплые точки и точки перегрева. Если при моделировании литографии не выявлены проблемы, то теплые точки не смогут перейти в состояние перегрева. Специалисты Toshiba определили, что в качестве универсального шаблона для этой операции наиболее подходит круглый шаблон.
В ходе презентации представители Toshiba не стали раскрывать детали по поводу размера шаблона, а также параметры выбора точек перегрева. Но даже без этих данных можно с уверенностью судить, что новая технология является значительным этапом на пути упрощения LCC, что станет важным критерием при последующей миниатюризации производства.
