Компании Numonyx и Intel сделали совместное заявление о достижении существенных успехов в сфере создания технологий производства памяти, базирующихся на фазовых переходах.
Как сообщает сайт Compulenta.ru, память с изменяемым фазовым состоянием (PCM) рассматривается многими учеными в качестве возможной альтернативы для популярной сейчас флеш-памяти. Принцип функционирования чипов РСМ базируется на свойстве халькогенидных полупроводников находиться в 2-ух фазовых состояниях со стабильными характеристиками. В одной из таких фаз вещество носителя является амфорным материалом, а в другой представляет собой кристаллический проводник. При этом изменение фазового состояния происходит одновременно с переключением между логической единицей и нулем.
Благодаря совместным следованиям Intel и Numonyx, обе компании смогли создать способ формирования многослойной памяти на базе фазовых переходов, реализовав возможность создавать вертикально интегрированные ячейки PCM(S). Каждая подобная ячейка включает 2 элемента, расположенных в параллельных слоях: переключающий модуль Ovonic Threshold Switch (OTS) и PCM. Возможность накладывать друг на друга слои PCM(S)-ячеек позволяет повысить плотность записи данных, сохраняя при этом характеристики однослойной фазовой памяти.
Технология Numonyx и Intel подразумевает соединение ячеек памяти с КМОП-структурами, обеспечивающими преобразование сигналов и логические функции. Исследователи продемонстрировали, что сброс данных, которые хранятся в ячейках, производится за 9 нс, а память не теряет свойств даже после проведения миллионного цикла перезаписи.
Ожидается, что новая методика даст возможность производить быстродействующие системы хранения информации и память со случайным доступом, обладающие высокой плотностью хранения данных, низким энергопотреблением и миниатюрными габаритами.
