Коллаборация компания Intel и Micron анонсировали чипы флеш-памяти типа NAND, созданные по 20-нм техпроцессу, объемом 8 Гб. Чип создан по инициативе совместного детища компаний — IM Flash Technologies.
Как сообщают представители компаний, площадь чипа составляет всего 118 м мм2, что на 30-40% меньше по сравнению с 25-нм чипами емкостью 8 Гб. Тем не менее, производительность и емкость новинок никак не уменьшилась. Хотя обычно более тонкий техпроцесс приводит к уменьшению долговечности флеш-памяти.
Уже во второй половине 2011 года начнется массовое производство 6 Гб чипов флеш-памяти. Параллельно с этим будут получены первые образцы 16-Гб чипов, построенных на 20-нм техпроцессе.
